Al/N-Sİ (MIS) SCHOTTKY DİYOTLARINDA OKSİT TABAKASININ I-V KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİ

Abstract

Çağdaş teknolojilerde pek çok alanda kullanılan, hem malzeme mühendisliğinde hem de katıhal fiziğinde en çok ilgi çeken ve üzerinde araştırma yapılan malzemelerden biri Schottky kontaklardır. Bu durumun sebebi yarıiletken malzemelerden yapılan bu devre elemanları yapılan katkı durumuna göre istenilen özelliklere sahip olabilecek şekilde iletkenliklerinin belirlenebilmeleridir. Çalışmamızda hazırlanan numune n-tipi Si malzeme üzerine Al malzemesi ile hem omik, hem de doğrultucu kontak yapıldı. Al/n-tipi/Al Schottky kontaklı diyot yapılarak malzemenin arayüzey hallerinin ve seri direncin ln(I)-V parametrelerine etkileri incelenmiştir. Kimyasal ve fiziksel temizleme işlemleri aynı şekilde yapılan iki diyot tasarlandı. Omik kontakları da aynı şekilde yapılan diyotlardan birinin doğrultucu kontağı aynı gün yapıldı(Diyot 1). Diğer diyotun doğrultucu kontağı bir hafta (yedi gün) sonra aynı şartlarda yapıldı. Yapılan diyotların I- V değerleri ölçülerek idealite faktörleri hesaplandı. Hazırlanan diyotların ln(I)-V grafikleri kullanılarak engel yüksekliği (eobn), idealite faktörü (n), donor yoğunluğu (ND), doyma akımı (Io) ve seri direnci (Rs), hesaplandı. Ayrıca Cheung Fonksiyonları yardımıyla aynı parametreler hesaplanarak kontrol edildi.